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Ingenieurwesen » Elektrotechnik » Arbeitsbereiche eines pMOS
Autor
Universität/Hochschule Arbeitsbereiche eines pMOS
Ehemaliges_Mitglied
  Themenstart: 2016-07-16

Man unterscheidet drei Arbeitsbereiche eines MOSFET. Für jeden dieser Arbeitsbereiche gelten bestimmte Bedingungen für die Spannungen und den Drainstrom. Für nMOS-Transistoren gilt: MOSFET Arbeitsbereiche für nMOS-Transistoren: Linearer Bereich: v_GS > V_th V_GS - V_th >= V_DS I_D = K_n * (V_GS - V_th - V_DS/2) * V_DS Sättigungsbereich: V_GS > V_th V_GS - V_th < V_DS I_D = K_n/2 * (v_GS-V_th)^2 Abschaltbereich: V_GS < V_th I_D = I_D (V_GS=V_th) * exp((V_GS-V_th)/(V_T*m)) Ich möchte nun die äquivalenten Bedingungen für pMOS-Transistoren aufstellen, weil ich hier häufiger durcheinander gerate. MOSFET-Arbeitsbereiche für pMOS-Transistoren (hier bin ich mir unsicher) Linearer Bereich: V_GS < V_th V_GS - V_th <= V_DS (Frage: oder gilt V_GS - abs(V_th) <= V_DS ? ) I_D = K_p * (V_GS - V_th - V_DS/2)*V_DS Sättigungsbereich: V_GS < V_th V_GS - V_th > V_DS Frage: V_DS,Sat = V_GS - V_th oder ist V_DS,Sat = V_GS - abs(V_th) ? I_D = K_p/2 * (V_GS - V_th)^2 jedenfalls gilt: (V_GS - V_th)^2 = (V_SG - abs(V_th))^2 und ich glaube es macht Sinn, diese Form zu verwenden. Abschaltbereich: V_GS > V_th I_D = I_D(V_GS=V_th) * exp((V_GS-V_th)/(V_T*m)) Weiterhin gibt es ja auch noch den Subthreshold bzw. Unterschwell-Bereich, wobei das soweit ich weiß dem Abschaltbereich gleich kommt. Es gilt: I_D = I_D(V_GS = V_th) * 10^((V_GS - V_th)/S) S bezeichnet den Subthreshold-slope, üblicherweise 80mV/dec, wenn log I_D gegen V_GS aufgetragen wird. Auch hier bin ich mir nicht sicher, ob es nicht eigentlich abs(V_th) sein müsste

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Ehemaliges_Mitglied
  Beitrag No.1, vom Themenstarter, eingetragen 2017-06-16

Ich hoffe es ist ok, wenn ich diese Frage wieder ins Leben rufe. Ich lerne gerade für eine verwandte Klausur und diese Unsicherheit bezüglich der Arbeitsbereiche eines pMOS habe ich leider immer noch.

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