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Autor |
Kennliniengleichungen des Bipolar-Transistors |
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Ehemaliges_Mitglied  | Themenstart: 2017-06-13
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Hey
Ich habe gerade die Kennliniengleichungen eines Bipolar-Transitors vor mir liegen:
I_e = -I_{F0} (exp(U_{be}/U_T)-1) + a_{12} (exp(-U_{cb}/U_T)-1)
I_c = a_{21} (exp(U_{be}/U_T)-1) - I_{R0} (exp(-U_{cb}/U_T)-1)
a_{21} = a_F * I_{F0}
a_{12} = \alpha_R * I_{R0}
a_{21} = a_{12}
Diese Gleichungen dürften sowohl für npn- als auch für pnp-Transistoren gültig sein. Natürlich haben die Transistorspannungen jeweils entgegengesetzte Vorzeichen.
In diesen Gleichungen kommen nun leider einige Variablen vor, die mir völlig fremd sind und ich versuche gerade zu verstehen, was es mit ihnen auf sich hat:
I_{F0} und I_{R0} bezeichnen den Sättigungsstrom. Es solllte ja ein Strom vom Emitter zur Basis und von der Basis zum Kollektor fließen. Da der Basisstrom üblicherweise sehr gering ist, dürfte das derselbe Strom sein, oder? Wo liegt der Unterschied zwischen I_{F} bzw. I_{R} und dem Emitter- bzw. Kollektorstrom I_{e,c} ?
\alpha bezeichnet die Gleichstromverstärkung in Basisschaltung. \alpha = \beta * \gamma , wobei \gamma Ermitterergiebigkeit bezeichnet und \beta irgendetwas anders (vielleicht den Basis-Transportfaktor). Wie auch immer, all dies sagt mir überhaupt nichts. Was sind das für Konstanten? was bezeichnet a_{12} bzw. a_{21} , wo kommt das alles her?
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 | Beitrag No.1, eingetragen 2017-06-13
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Moin
Die Bezeichnungen scheinen sich auf das Ebers-Moll-Modell zu beziehen (siehe dazu hier).
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Ehemaliges_Mitglied  | Beitrag No.2, vom Themenstarter, eingetragen 2017-06-14
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vielen Dank, das muss es sein.
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Ehemaliges_Mitglied hat die Antworten auf ihre/seine Frage gesehen. Ehemaliges_Mitglied hat selbst das Ok-Häkchen gesetzt. |
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